Registruokitės, kad atrakintumėte savo išskirtines B2B kainas ir pradėtumėte apsipirkinėti. Užsiregistruokite dabar!
MD01 image 1
MD01 image 2
HD90S B10/100 Residual Current Circuit Breaker with Overcurrent Protection 1+NP A type 100 mA image 3
MD01 thumbnail 1
MD01 thumbnail 2
HD90S B10/100 Residual Current Circuit Breaker with Overcurrent Protection 1+NP A type 100 mA thumbnail 3

HD90S B10/100 - LSFI-Schalter 1P+N Typ A, B-Char., 10A, 100mA, 10kA

Tik užsakymas Nėra
Numatomas pristatymo laikas į mūsų sandėlį: Pagal užklausą

Technical Information

Prekės būklė Nauja
Gamintojo pavadinimas HD90S B10/100 Residual Current Circuit Breaker with Overcurrent Protection 1+NP A type 100 mA
Prekės ženklas ABB
Suderintos sistemos kodas 8536 3010 00
ETIM EC000905
Nustatyta srovė 10 A
Nustatyta įtampa 230 V
Išleidimo charakteristika B
Nominali gedimo srovė 0.01 A
Srovės nutekėjimo tipas A
Saugos laipsnis (IP) IP20
Apsaugotų polių skaičius 1
Aplinkos temperatūra operaciniu metu -25-55 °C
Polių skaičius (bendras) 2

Pakavimo informacija

Pakavimo lygis 1 5413656078333, 5413656078333

Kiti techniniai duomenys

Įtampos tipas Kintamoji srovė
Suprojektuotas gylis 35 mm
Nominali izoliacinė įtampa Ui 500 V
Srovės apribojimo klasė 3
Įtampos perviršiaus kategorija 3
Užterštumo laipsnis 3
Modulinių tarpų skaičius plotyje 2
Dažnis 50 Hz
Šiuo metu perjungiantis į N neutralią padėtį Yes
Nominalus trumpo jungimosi atjungimo pajėgumas IEC 60947-2 10 kA
Prijungiamo laidininko kryžminės sekcijos vientisa šerdis 0.75-25 mm²
Prijungiamo laidininko kryžminės sekcijos įvairialypis laidynas 0.75-16 mm²
Su užblokavimo įrenginiu No
Lygiai montuojama instaliacija No
Laisva nuo klaidų apsauga No
Nurodytoji atlaikoma impulsinė įtampa 6 kV
Nurodytoji trumpojo jungimo nutraukimo geba pagal EN 61009-1 6 kA
Atjungimo charakteristika Neuždelstas
Nurodytoji trumpojo jungimo nutraukimo geba 10 kA

Aprašymas

The D90/HD90 RCBO series (from 4,5 to 10 kA according EN 61009) combine circuit protection (against overload and short circuit) and people protection (against leakage currents) in 1P+N/2 modules device.